通過物理或化學等方式在晶圓上沉積各種功能薄膜材料的裝備，根據薄膜材料的不同可以分為金屬薄膜（Al/Cu/W/Ti）、介質薄膜（SiO2/Si3N4）以及半導體材料薄膜（Si、AlN、SiC、GaN、Dimond等）。集成電路薄膜沉積工藝可分為物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）和分子束外延（MBE）三大類。PVD是指通過熱蒸發或者靶表面受到粒子轟擊時發生原子濺射等物理過程；CVD是指通過氣體混合的化學反應在硅片表面沉積薄膜的工藝；分子束外延（MBE）是一種在硅片表面按照襯底晶向生長單晶薄膜的工藝。
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